特許
J-GLOBAL ID：200903076956426776
歪量子井戸構造を有する半導体光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-148188
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316588
出願日： 1995年05月23日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 優れた結晶性と良好な結晶界面を有する歪量子井戸構造を備え、優れた素子特性を示す半導体光素子を提供する。【構成】 本歪量子井戸構造を有する半導体光素子10は、n-InP基板12上に順次形成されたn-InPバッファ層14、MQW16、p-InPクラッド層18、及びp-GaInAsコンタクト層20で形成されている。MQWの層構造は、n-InPバッファ層14上に積層されたノンドープGaInAsP層(λg=1.1μm)22と、その上に順次積層された、二元化合物半導体超薄膜層として5原子層のノンドープInP層24、層厚20nmのノンドープIn1-X GaX P層(x=0.08)26、5原子層のInP中間層24、層厚10nmのInAsY P1-Y 層(y=0.45)28の積層構造を3周期繰り返し、次いでノンドープGaInAsP層(λg=1.1μm)30で形成されている。これにより、歪量子井戸構造の結晶性が向上する。
請求項（抜粋）：
III 族及びV族の化合物半導体基板上に、III 族及びV族の相互に組成の異なる化合物半導体薄膜を複数層積層してなる歪量子井戸構造を有する半導体光素子において、基板と同じ組成の二元化合物半導体超薄膜層が歪量子井戸構造を構成する化合物半導体薄膜同士の間に介在していることを特徴とする歪量子井戸構造を有する半導体光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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