特許

J-GLOBAL ID：200903076970004051

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 寺本 茂樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-135890
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306808
出願日： 1995年05月09日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】 不揮発性半導体記憶装置において、メモリセル間のしきい値電圧のばらつきを抑えつつ、メモリセルを多しきい値電圧化する。【構成】 フローティングゲート型の不揮発性半導体記憶装置において、フローティングゲート5上に絶縁膜6を介して第1のコントロールゲート7を設け、第1のコントロールゲート7上に絶縁膜8を介して第2のコントロールゲート9を設ける。書き込み時には、第1のコントロールゲート7または第2のコントロールゲート9を選択して電圧を印加することにより書き込みを行う。また、MONOS型またはMNOS型の不揮発性半導体記憶装置において、第1のゲート電極上に絶縁膜を介して第2のゲート電極を設ける。書き込み時には、第1のゲート電極または第2のゲート電極を選択して電圧を印加することにより書き込みを行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介して設けられたフローティングゲートと、上記フローティングゲート上に第1の絶縁膜を介して設けられた第1のコントロールゲートと、上記第1のコントロールゲート上に第2の絶縁膜を介して設けられた第2のコントロールゲートとを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434