特許
J-GLOBAL ID：200903076972793045
強誘電性セラミツクス薄膜の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-156866
公開番号（公開出願番号）：特開平5-009738
出願日： 1991年06月27日
公開日（公表日）： 1993年01月19日
要約：
【要約】【目的】 安全でかつ毒性の低いPbソース原料を用いて、工業上実用的なCVD法により、強誘電性セラミックスの薄膜を製造することができる方法を提供する。【構成】 PbTiO3 、PZTおよびPLZT等の鉛を含む強誘電性セラミックスの薄膜を化学気相成長法により基板上に形成する方法であって、Pbのソース原料として、Pbのβ-ジケトン錯体を用いる。一例として、Pbのソース原料としてジピバロイルメタナト鉛、Zrのソース原料として四第3ブトキシジルコニウム、およびTiのソース原料としてテトライソプロポキシチタンを用いることができる。なお、図1はこの発明の方法を実施するためのCVD装置を示している。
請求項（抜粋）：
組成式:Pb<SB>x </SB>・La<SB>1-x </SB>・Zr<SB>y </SB>・Ti<SB>1-y</SB>・O<SB>3 </SB>(式中、0<x≦1、0≦y≦1)で示される強誘電性セラミックスの薄膜を化学気相成長法により基板上に形成する方法であって、Pbのソース原料として、Pbのβ-ジケトン錯体を用いることを特徴する、強誘電性セラミックス薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
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