特許

J-GLOBAL ID：200903076974269564

半導体薄膜の製造方法

発明者： 佐野 景一 ,  綾 洋一郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-132114
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335545
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 非晶質半導体材料を出発材料として結晶粒径が大粒径化した多結晶構造の半導体薄膜の製造方法を提供する。【構成】 基板1上に非晶質SiGe膜2を形成した後、さらにGeH4 ガスを導入しプラズマCVD法によりGe微結晶分散層3を形成する。さらに、非晶質SiGe膜4を形成した後、アニール処理を施し、非晶質SiGe膜2、4を固相成長させて多結晶SiGe膜5を形成する。

請求項（抜粋）：

非晶質半導体層を形成した後、固相成長法により結晶化させる方法において、Geの微結晶を分散した状態で含むGe微結晶分散層と前記非晶質半導体層とを隣接して形成した後、前記非晶質半導体層を固相成長法により結晶化させることを特徴とする、半導体薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/324 ,  H01L 31/04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-267324
  
• 特開平2-032528