特許

J-GLOBAL ID：200903076978085239

半導体装置およびその製造方法

発明者： 滝沢 正明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-009535
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199503
出願日： 1996年01月23日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 Cu配線を酸化させずに、微細加工が可能なCu配線を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】 Cu膜21上のTEOSガスと酸素ガスとの混合ガスを用いたプラズマCVD法によるPE-TEOS膜22を堆積し、このPE-TEOS膜22をパターニングし、パターニングしたPE-TEOS膜22をマスクとしてCu膜21おとびバリア膜14をRIE法でエッチングしてCu配線23を形成し、その後Cu配線23を被覆するためのPE-TEOS膜24を堆積する。【効果】 Cu配線を用いた高集積の半導体装置が作製できる。

請求項（抜粋）：

銅配線を用いた半導体装置において、半導体基板の層間絶縁膜上の銅配線と、前記銅配線上の、有機シラン系ガスを用いたプラズマCVD法で形成する酸化膜と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/95