特許
J-GLOBAL ID：200903076978722441
半導体受光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-073234
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291351
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】ド-パントの拡散深さがばらついても常に接合の位置を一定にする。【構成】基板1上には、n型バッファ層2が形成される。n型バッファ層2上には、バンドギャップEg1を有するn型光吸収層が形成される。この光吸収層上には、Eg2>Eg1なるバンドギャップEg2を有するn型キャップ層6が形成される。n型光吸収層内にpn接合を有するようにp+ 型領域7が形成される。前記光吸収層は、n- 型層3,5と、このn- 型層3,5の間に形成される当該n- 型層3,5よりもキャリア濃度の高いn+ 型層4から構成される。p+ 型領域7のpn接合の位置は、少なくともn- 型層3とn+ 型層4の境界面に一致する箇所を含んでいる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成されるバンドギャップEg1を有する第1導電型の光吸収層と、前記光吸収層上に形成され、Eg2>Eg1なるバンドギャップEg2を有する第1導電型のキャップ層と、少なくとも前記光吸収層内にpn接合を有するように形成される第2導電型の半導体領域とを有し、前記光吸収層の一部分における第1導電型のド-パントのキャリア濃度が、当該光吸収層の他の一部分における第1導電型のド-パントのキャリア濃度よりも高く設定されていることを特徴とする半導体受光素子。
引用特許：
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