特許

J-GLOBAL ID：200903076978759930

パワー半導体モジュール

発明者： 小池 義彦 ,  斉藤 隆一 ,  関根 茂樹 ,  国分 秀弥 ,  小池 信也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立原町電子工業株式会社
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-008503
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221265
出願日： 1994年01月28日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】信頼性が高い内部絶縁型のパワー半導体モジュールを提供すること【構成】半導体チップ111を、応力緩衝板113と熱拡散板114、それに絶縁板116を介して、モジュール支持基板118に接合したパワー半導体モジュールにおいて、熱拡散板114の周辺に座ぐり加工などにより部薄肉部114aを形成したもの。【効果】薄肉部114aの存在により、半田層112、115、117のそれぞれに掛る応力のバランスを図ることができるので、これら複数の半田層に掛る応力の内の最大値を抑えることができ、長寿命化が可能になり、高い信頼性を得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体チップを、絶縁性の板材を含む複数枚の順次大きさの異なる導電性板材を介して金属ろう材で導電性支持基板に接合することにより、上記半導体チップと上記導電性支持基板との間での絶縁が保たれるようにした内部絶縁型のパワー半導体モジュールにおいて、上記導電性板材と導電性支持基板の内の少なくとも1枚が、その小さい方の板材との接合部部分の周辺部の少なくとも一部に、その中央部よりも板厚寸法が減少している部分を有するように成形加工されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (3件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 25/04 C ,  H01L 23/12 F