特許
J-GLOBAL ID：200903076979855160
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-088638
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302687
出願日： 1993年04月15日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 素子分離領域の縮小化を図る。【構成】 半導体素子が形成される領域に耐酸化性層を選択的に形成し、前記耐酸化性層で覆われていない領域の前記シリコン基板表面を酸化して素子分離領域を形成し、該素子分離領域及び前記耐酸化性層を通過してシリコン基板に到達する加速エネルギーで前記シリコン基板と同型の不純物イオンを注入し、その後前記耐酸化性層を除去して素子分離領域を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に半導体素子及び該半導体素子を電気的に分離する素子分離領域を有する半導体装置の製造方法であって、前記半導体素子が形成される領域に耐酸化性層を選択的に形成し、前記耐酸化性層で覆われていない領域の前記シリコン基板表面を酸化して素子分離領域を形成し、該素子分離領域及び前記耐酸化性層を通過してシリコン基板に到達する加速エネルギーで前記シリコン基板と同型の不純物イオンを注入し、その後前記耐酸化性層を除去して素子分離領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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