特許

J-GLOBAL ID：200903076980699732

III族窒化物系化合物半導体基板の製造方法

発明者： 永井 誠二 ,  小池 正好
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-269634
公開番号（公開出願番号）：特開2004-107114
出願日： 2002年09月17日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】そり、クラックのない厚膜のIII族窒化物半導体基板を得ること。【解決手段】シリコン(Si)基板1(a)の上面に膜厚0.2〜0.3μmのAl0.2Ga0.8N層2、膜厚0.5μmのGaN層3を順に形成する(b)。これを裏面から独立してHClガスエッチ可能なハライドVPE装置に設置し、900°Cにて、GaN層3上にハライド気相成長によりGaN層10をエピタキシャル成長しながら裏面からシリコン(Si)基板1、Al0.2Ga0.8N層2、GaN層をガスエッチングにより除去する(c)。膜厚約50μmのGaN層10を得て(d)、1050°CにてGaN層10上にハライド気相成長によりGaN層20をエピタキシャル成長しながら裏面からGaN層10をガスエッチングにより除去する(e)。最終的に、膜厚200μmのそり、クラックのないGaN層20から成る基板を得る。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコン(Si)基板に、バッファ層を形成して又は形成せずにハライド気相成長法により第1のIII族窒化物系化合物半導体層を形成する第1層形成工程と、 第1層形成工程の終了後又は第1層形成工程と重ねてシリコン基板を裏面からエッチングによりその略全部を除去するシリコン基板除去工程と、 シリコン基板除去工程の後、ハライド気相成長法により第2のIII族窒化物系化合物半導体層を形成する第2層形成工程とを有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  H01L21/205

Fターム (26件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077TB03 ,  4G077TC06 ,  4G077TC12 ,  4G077TC17 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  5F045AA01 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13