特許
J-GLOBAL ID:200903076981750138

FET増幅器の消費電力低減方式

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-107336
公開番号(公開出願番号):特開平7-321561
出願日: 1994年05月23日
公開日(公表日): 1995年12月08日
要約:
【要約】【目的】高周波数信号の入力数が変化しても、これにに応じて消費電力の低減を行い、高調波歪みレベルのピークレベルおよび周波数特性の変化も抑える。【構成】FET9は複数の高周波数信号を共通増幅する。DC/DCコンバータ3は、電源電圧Vinを高周波数信号の入力数に対応する制御電圧Vcontにより制御し、制御電圧Vcontに比例するコンバータ出力電圧V0を生じる。定電流回路4は、電圧V0にほぼ同じドレイン電圧VdsをFET9のドレイン端子Dに供給し、またFET9のドレイン電流Idをほぼ一定値に保つゲート電圧VgsをFET9のゲート端子Gに供給する。
請求項(抜粋):
複数の高周波数信号をFETで共通増幅可能なFET増幅器と、前記FETに供給するバイアス電力を前記高周波数信号の入力数に応じて変化させるバイアス電力供給回路とを備えることを特徴とするFET増幅器の消費電力低減方式。
IPC (2件):
H03F 1/02 ,  H03F 3/193

前のページに戻る