特許
J-GLOBAL ID：200903076982837911
半導体チップの積層方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西教 圭一郎
, 廣瀬 峰太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-179013
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022996
出願日： 2002年06月19日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】生産性を向上し、接着強度を向上し、薄く形成された半導体ウエハ22の反りを抑制する。【解決手段】半導体ウエハ22の回路面4にガラス転移温度Tgが150°C以下である耐熱性熱可塑性合成樹脂から成る保護膜3を形成する。この保護膜3に、第1半導体チップ2の電気信号接続部を露出するための接続孔6を、形成する。次に半導体ウエハ22を個片化し、保護膜付き第1半導体チップ2を得る。この保護膜3上に、もう1つの第2半導体チップ12の裏面31を加熱加圧して接着し、半導体チップ2,12の積層化を図る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の半導体チップの電気回路が形成された回路面に、
ガラス転移温度が150°C以下である保護膜を介して、
第2の半導体チップの裏面を、接着することを特徴とする半導体チップの積層方法。
IPC (4件)：
H01L25/065
, H01L21/56
, H01L25/07
, H01L25/18
H01L25/08 Z
, H01L21/56 E
5F061AA03
, 5F061CA11
, 5F061CB02
, 5F061FA06
