特許
J-GLOBAL ID：200903076983812211
効率が改善されたタンデム形光起電力デバイスの製造方法および該方法により製造されたデバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-514244
公開番号（公開出願番号）：特表平8-504542
出願日： 1993年12月01日
公開日（公表日）： 1996年05月14日
要約：
【要約】タンデム形光起電カデバイス(10)を含む電池(18a,18b,18c)のイントリンシックな層(20a,20b,20c)の厚さは最も質の高い半導体材料を有する電池が最も低い光電流を発生するように選択される。電池はタンデム形デバイス内で最も支配的な電池となり、その材料特性はタンデム形デバイスの全体特性に不相応に貢献するであろう。
請求項（抜粋）：
光学的および電気的な系列関係で配置された光電池の積層アレイを含むタンデム形光起電力デバイスの製造方法であって、前記アレイは: 第1の光電池を上部に配置した基体と、該第1の光電池に重なるようにして配置された第2の光電池とを含み、 前記第1の光電池はP-ドープ半導体材料からなる第1の層とN-ドープ半導体材料からなる第1の層との間に挟まれた実質的にイントリンシックな半導体材料からなる第1の層を含むと共に、前記第1の光電池は該第1の電池が前記タンデム形光起電力デバイス内に組み込まれ、該デバイスが光を受けたときに、該デバイスによる光の吸収に応答して第1の光電流を生じるように動作し、 前記第2の光電池はP-ドープ半導体材料からなる第2の層とN-ドープ半導体材料からなる第2の層との間に挟まれ、予め選択された厚さを有し、実質的にイントリンシックな半導体材料からなる第2の層を含むと共に、前記第2の光電池は該第2の電池が前記タンデム形光起電力デバイス内に組み込まれ、該デバイスが光を受けたときに、該デバイスによる光の吸収に応答して第2の光電流を生じるように動作するものであり、 前記デバイスの製造方法における改良点は、 前記第2の光電流が前記第1の光電流より少ないように、実質的にイントリンシックな半導体材料からなる前記第2の層の厚さを選択する工程と、 第1の堆積プロセスによって実質的にイントリンシックな半導体材料からなる前記第1の層と、第2の堆積プロセスによって実質的にイントリンシックな半導体材料からなる前記第2の層とを製造する工程との組み合わせを含み、 前記第2の堆積プロセスによって製造された前記第2の実質的にイントリンシックな半導体材料層の材質が前記第1の堆積プロセスによって製造された前記第1の実質的にイントリンシックな半導体材料層の材質よりも優れたものである、タンデム形光起電力デバイスの製造方法。
引用特許：
前のページに戻る
