描画データ作成方法、及び描画データ作成装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：玉村静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-229413
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066098
出願日： 1993年08月23日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】回路の設計パターンデータから描画用のマスクパターンデータを作成するにあたり、パターン密度が相違される全ての領域に対し出来上りパターンに対して設計寸法を高精度に達成する。【構成】パターン描画時の電子線の散乱、フォトマスクを介する露光光の反射及び干渉、光増速ガスエッチングにおける光の反射や干渉による反応速度の不均一、及びイオンエッチングにおけるイオン反射によるイオン衝撃の不均一などの各種ウェハプロセスでのパターン寸法のシフト量を考慮して、密度が高い領域にはそのパターン密度を相対的に低くし、密度が低い領域にはそのパターン密度を相対的に高くするパターン寸法補正(寸法補正14)を行って描画データを作成する。

請求項（抜粋）：

回路の設計パターンデータから描画装置のための描画データを作成する描画データ作成方法であって、上記設計パターンデータから把握される回路パターンの密度が相対的に高い領域と低い領域とを画定するための領域情報を取得するステップと、上記密度が相対的に高い領域として画定された領域のパターンにはそのパターンの密度を相対的に低くするパターン寸法補正を行い、上記密度が相対的に低い領域として画定された領域のパターンにはそのパターンの密度を相対的に高くするパターン寸法補正を行うステップと、上記密度が相対的に高い領域として画定された領域と密度が相対的に低い領域として画定された領域とを合わせた領域に含まれる上記パターン寸法補正されたパターンを合成するステップと、を含むことを特徴とする描画データ作成方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-278514
特開平3-225816
特開昭63-058829

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