特許
J-GLOBAL ID：200903076998417963
多層セラミツク基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-300123
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136572
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、ガラス・セラミック基板が焼成時において厚み方向だけ収縮し、平面方向には収縮しない多層基板で、かつ機械強度が良好な基板を得ることを目的とする。【構成】 ガラス・セラミック低温焼結基板材料に少なくとも有機バインダ、可塑剤を含むグリーンシートを作製し、導体ペースト組成物で電極パターンを形成し、前記生シートと別の電極パターン形成済みグリーンシートとを所望枚数積層する。しかる後、前記低温焼結ガラス・セラミックよりなるグリーンシート積層体の両面、もしくは片面に、前記ガラス・セラミック低温焼結基板材料の焼成温度では焼結しない無機組成物よりなるグリーンシートで挟み込むように積層し、前記積層体を焼成する。しかる後、焼結しない無機組成物に樹脂を充填させ、最上層配線を形成する。
請求項（抜粋）：
導体ペースト組成物で電極パターンを形成した少なくとも有機バインダ、可塑剤を含むガラス・セラミックよりなるグリーンシートを所望枚数積層し、このグリーンシート積層体の両面、もしくは片面に、前記電極材料でバイアホール充填させた焼成温度では焼結しない無機組成物よりなるグリーンシートを積層した後、焼成処理を行い、その後前記焼結しない無機組成物層に樹脂を充填させ、さらに両面または片面に導体配線を形成することを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
IPC (3件)：
H05K 3/46
, H05K 1/03
, H05K 1/09
