半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大川宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-073696
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275691
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】マスク体底部の横方向長に比較してソース領域の横方向拡散長が長い場合でも、ゲート電極とソース領域との間の容量を低減し、耐圧向上を可能とした半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】ソース領域5はドープによりマスク体10底部の外端を起点として横方向拡散するので、ソース領域5とゲート電極7とのオーバーラップはこのマスク体10底部の横方向長だけ低減される。更に、ゲート電極7端部のゲート絶縁膜8は肥厚されているので、ゲート電極7直下まで喰い込んだソース領域5とその上方のゲート電極7との垂直方向間隔が増加する。ソース領域5とゲート電極7間の容量低減により高速駆動が可能となり、ゲート絶縁膜8端部における電界集中によりゲート絶縁膜8が破壊されるのを防止し、耐圧向上を可能とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の表面上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の側面を被覆する絶縁性のマスク体と、前記ゲート電極及びマスク体をマスクとする不純物ドープにより基板の表面部に形成され前記ゲート電極の下方に達する第2導電型のウエル領域と、前記ゲート電極及びマスク体をマスクとする不純物ドープにより前記ウエル領域の表面部に前記ウエル領域より浅く形成され前記ゲート電極の下方に達する第1導電型のソース領域とを備え、前記ゲート絶縁膜は、前記ウエル領域上方の部位に比べて前記ソース領域上方の部位がより厚く形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/784 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭62-026859
特開平1-146367
特開平3-201484

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