特許
J-GLOBAL ID：200903077003191832
半導体記憶素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-243232
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097452
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 高速かつ、強誘電体の疲労が少なく、面積縮小化に適した不揮発性メモリを提供する。【構成】 半導体単結晶基板上に形成されたトランジスタにおけるゲート電極部分において、該半導体単結晶基板(1)上に該半導体単結晶基板と界面において、単位格子中原子間距離のミスマッチが30パーセント以下の酸化物薄膜(4)をエピタキシャル成長させ、さらにその上に高配向の強誘電体薄膜(5)を順次積層した構造をもつ。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶基板上に形成されたトランジスタにおけるゲート電極部分において、該半導体単結晶基板上に該半導体単結晶基板と界面において、単位格子中の原子間距離のミスマッチが30パーセント以下の酸化物薄膜をエピタキシャル成長させ、さらにその上に高配向の強誘電体薄膜を順次積層した構造をもつことを特徴とする半導体記憶素子。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
