特許
J-GLOBAL ID：200903077005224533
電界効果テラヘルツ電磁波発生素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-330859
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148502
出願日： 1999年11月22日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：
【要約】【課題】本発明は、効率が高く、出力が大きいテラヘルツ電磁波を発生できるだけでなく、基板に垂直方向にテラヘルツ電磁波を発生可能にすることを目的としている。【解決手段】半導体バルク基板面(或いは半導体量子井戸を形成した基板面)に平行な横方向に電界を印加した構造に、超短光パルスレーザの光を素子表面垂直方向に対して角度θ(θ=0度〜360度)の方向から照射する。これによって、キャリアを発生させ、基板に対して平行な横方向に電界を印加することによって、分極を大きく形成すること及びキャリアを加速することを利用してテラヘルツ電磁波を発生する。
請求項（抜粋）：
半導体バルク基板面に平行な横方向に電界を印加した構造に、超短光パルスレーザの光を素子表面垂直方向に対して角度θ(θ=0度〜360度)の方向から照射して半導体バルク中にキャリアを発生させ、基板に対して横方向に電界を印加することによってキャリアを加速することを利用してテラヘルツ電磁波を発生することを特徴とする電界効果テラヘルツ電磁波発生素子
引用特許：
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