特許

J-GLOBAL ID：200903077005557990

温度検出用回路装置

発明者： 有村 健一
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-014743
公開番号（公開出願番号）：特開平7-218347
出願日： 1994年02月09日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】バンドギャップに基づくpn接合の順方向電圧の温度係数を利用する温度検出用回路装置の検出特性のばらつきを減少させる。【構成】共通ベース接続されたバイポーラ形の一対のトランジスタ1および2と,トランジスタ1の方に直接接続されたエミッタ抵抗Reと, 両トランジスタ1と2のエミッタ側に接続された共通エミッタ抵抗Rcとを設け、両トランジスタ1と2のベース・エミッタ間接合の面積を異ならせて同じ電流i1とi2をそれらに供給した状態で共通ベースから温度依存性がごく少ない基準電圧Vrを取り出し、かつ共通エミッタ抵抗Rcの電圧降下から正の温度係数をもつ検出用電圧Vdを取り出した上で、コンパレータ30に基準電圧Vrと検出用電圧Vdを比較させてこれから半導体装置の異常温度上昇等を示す検出信号Sdを取り出す。

請求項（抜粋）：

半導体装置の温度を検出する回路装置であって、ベースが共通接続されベース・エミッタ間にバンドギャップ電圧をもつ一対のバイポーラ形のトランジスタと、両トランジスタの一方のエミッタに直接に接続されたエミッタ抵抗と、両トランジスタのエミッタ側に共通に接続された共通エミッタ抵抗とを含み、両トランジスタのベース・エミッタ間接合に流す電流密度を互いに異ならせて両トランジスタのベースから基準電圧を取り出し、半導体装置内のpn接合と直列接続された抵抗の電圧降下を基準電圧と比較して温度を検出するようにしたことを特徴とする温度検出用回路装置。