特許
J-GLOBAL ID：200903077008337665
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-177787
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046189
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】 側壁絶縁膜下に形成されるソース/ドレイン拡散層を構成する低濃度拡散層幅を十分小さく取って低濃度拡散層による抵抗を小さくしドレイン電流の低減を抑えて電流駆動力の劣化を抑えることができる。【構成】 半導体基板1内に素子分離絶縁膜2が形成され、該素子分離絶縁膜2間の該半導体基板1内にソース/ドレイン拡散層7,9が形成され、該ソース/ドレイン拡散層7,9間の該半導体基板1上にゲート絶縁膜6が形成され、該ゲート絶縁膜6上にゲート電極5が形成され、該ゲート電極5側壁に第1の側壁絶縁膜8が形成され、該第1の側壁絶縁膜8側壁に第2の側壁絶縁膜10が形成され、該第2の側壁絶縁膜10と該素子分離絶縁膜2間の該ソース/ドレイン拡散層9が形成された該半導体基板1上に金属シリサイド膜12が形成されてなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1)内に素子分離絶縁膜(2)が形成され、該素子分離絶縁膜(2)間の該半導体基板(1)内にソース/ドレイン拡散層(7,9)が形成され、該ソース/ドレイン拡散層(7,9)間の該半導体基板(1)上にゲート絶縁膜(6)が形成され、該ゲート絶縁膜(6)上にゲート電極(5)が形成され、該ゲート電極(5)側壁に第1の側壁絶縁膜(8)が形成され、該第1の側壁絶縁膜(8)側壁に第2の側壁絶縁膜(10)が形成され、該第2の側壁絶縁膜(10)と該素子分離絶縁膜(2)間の該ソース/ドレイン拡散層(9)が形成された該半導体基板(1)上に金属シリサイド膜(12)が形成されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/28 301
, H01L 21/318
