特許
J-GLOBAL ID:200903077010091584
ポーラス構造熱電素子及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
絹谷 信雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-154163
公開番号(公開出願番号):特開平10-004218
出願日: 1996年06月14日
公開日(公表日): 1998年01月06日
要約:
【要約】【課題】 β相化のための熱処理時間が短く、かつ、製造工程が簡易なポーラス構造熱電素子及びその製造方法を提供するものである。【解決手段】 β-FeSi2 相のpn型素子部2と、α-FeSi2 相のp型とn型の電極部4、5とを備えたポーラス構造熱電素子1において、p型とn型に調整したα-FeSi2 に相変態促進材をそれぞれ添加してpn型素子形成部を形成し、そのpn型素子形成部の直上に、p型とn型に調整したα-FeSi2 で電極形成部をそれぞれ形成し、その後、焼結固化すると共に、上記pn型素子形成部のみをα相からβ相に相変態するための熱処理を施したものである。
請求項(抜粋):
β-FeSi2 相のpn型素子部と、α-FeSi2 相のp型とn型の電極部とを備えたポーラス構造熱電素子において、p型とn型に調整したα-FeSi2 に相変態促進材をそれぞれ添加してpn型素子形成部を形成し、そのpn型素子形成部の直上に、p型とn型に調整したα-FeSi2 で電極形成部をそれぞれ形成し、その後、焼結固化すると共に、上記pn型素子形成部のみをα相からβ相に相変態するための熱処理を施したことを特徴とするポーラス構造熱電素子。
IPC (5件):
H01L 35/14
, C01B 33/06
, C30B 29/10
, H01L 35/08
, H01L 35/34
FI (5件):
H01L 35/14
, C01B 33/06
, C30B 29/10
, H01L 35/08
, H01L 35/34
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