特許
J-GLOBAL ID：200903077011319430
微結晶シリコン分散樹脂薄膜および薄膜素子とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 文廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-260306
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075707
出願日： 2000年08月30日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】バリスタや光電デバイスなどの電子部品として有効な特性をもつ微結晶シリコン分散樹脂薄膜および薄膜素子について、簡便で特性の制御が容易な成膜法の開発と、デバイス機能を実現するための条件を見出すことにある。【解決手段】溶媒を用いて溶解したポリエステル中に微結晶シリコンを分散させ、ブレード法などにより基板上に成膜し、乾燥させた。微結晶シリコンはシランガスにレーザを照射して作製した。微結晶シリコンの粒径が10〜50nmで、微結晶シリコンの混合率が、重量比で25〜50%である場合に好適なバリスタ特性や光電変換特性をもつ素子が得られた。
請求項（抜粋）：
微結晶シリコンを分散させた有機高分子材料からなり、基板上に成膜された微結晶シリコン分散樹脂薄膜であって、微結晶シリコンの粒径が10〜50nmであることを特徴とする微結晶シリコン分散樹脂薄膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
5E032AB10
, 5E032BA05
, 5E032BB11
, 5E032CA02
, 5E032CC09
, 5E034CA10
, 5E034CB07
, 5E034CC15
, 5E034CC18
, 5E034CC19
, 5E034DC01
, 5E034DE01
, 5E034DE16
