特許

J-GLOBAL ID：200903077012505890

半導体装置の製造方法

発明者： 金子 誠二
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-308547
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138177
出願日： 1998年10月29日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造方法に於いて、不純物イオンの活性化アニールにランプアニール技術を用いた場合、活性領域端と素子分離領域間で温度差が大きくなり、これにより、熱ストレスが発生し、活性領域端で結晶欠陥が生じる。【解決手段】 層間絶縁膜100の形成後、ランプアニール処理前に、ランプ光吸収膜110を堆積し、その後、ランプアニール処理を行う。これにより、ランプアニール処理に於ける、半導体基板上部からのランプ光は、前記光吸収膜において吸収され、半導体基板下部からのランプ光は半導体基板そのものが吸収する。このため、前記光吸収膜及び半導体基板が発熱し、その輻射熱により不純物イオンが活性化される。このように、輻射熱を用いて活性化アニールが行われるため、活性領域端と素子分離領域との温度差は、拡散炉を用いた場合と同様に小さくすることができる。

請求項（抜粋）：

素子分離において絶縁膜を用い、更に、不純物イオンの活性化アニールにおいてランプアニール処理を行う、半導体装置の製造方法に於いて、前記ランプアニール処理を行う前に、熱ストレス緩和用のランプ光吸収膜を形成する構成としたことを特徴とする、半導体装置の製造方法。