特許

J-GLOBAL ID：200903077013194147

半導体装置の製造方法

発明者： 阿部 由之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-359095
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158096
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体装置の信頼性及び半導体装置の製造歩留を向上する。【解決手段】 表面に複数の回路が形成された半導体ウェハの裏面に絶縁性接着フィルム11を貼り付け、絶縁性接着フィルムの上にダイシング用フィルム12を貼り付けた半導体ウェハを準備し、準備された半導体ウェハをダイヤモンドブレード14で切断し、その後絶縁性接着フィルムを薄型金属カッタ15で切断して前記半導体ウェハを個々の半導体チップに分離し、絶縁性接着層の接着力を低下させ、前記半導体チップを取り出して配線基板に実装し、半導体チップの電極と配線基板の電極とをワイヤで電気的に接続し、半導体チップとワイヤを樹脂で封止する工程とを有する半導体装置の製造方法である。

請求項（抜粋）：

表面に複数の回路が形成された半導体ウェハの裏面に絶縁性接着フィルムを貼り付け、該絶縁性接着フィルムの上にダイシング用フィルムを貼り付けた半導体ウェハを準備する工程と、前記準備された半導体ウェハをダイヤモンドブレードで切断し、その後前記絶縁性接着フィルムを薄型金属カッタで切断して前記半導体ウェハを個々の半導体チップに分離する工程と、前記絶縁性接着フィルムの接着力を低下させ、前記半導体チップを取り出して配線基板に実装する工程と、前記半導体チップの電極と前記配線基板の電極とをワイヤで電気的に接続する工程と、前記半導体チップとワイヤを樹脂で封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。