特許

J-GLOBAL ID：200903077015938747

半導体ディスク装置

発明者： 助川 博
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-244713
公開番号（公開出願番号）：特開平5-282880
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】ホストシステム側がフラッシュEEPROMであることを意識せずに、通常のアクセス手段でフラッシュEEPROMをアクセス可能な半導体ディスク装置を実現する。【構成】コントローラ部11およびメモリモジュール12からなる半導体ディスク装置において、コントローラ部11内のメモリ管理コントローラ14はR/W制御回路16を通じてメモリモジュール12内の制御管理テーブル19を読み、その内容をコントローラ側のRAM15に書込むと共に、制御管理テーブル19に記憶されている管理テーブル20の所在番地を見て、その管理テーブル20の内容をRAM15に書込む。これにより、コントローラ部11側にメモリモジュール12の管理情報が記憶されることによって装置構成がなされる。

請求項（抜粋）：

消耗品であるメモリモジュールを備え、このメモリモジュールに対しデータの書込み/読出しを行う半導体ディスク装置において、上記メモリモジュールの消耗状態を検出する消耗状態検出手段と、この消耗状態検出手段によって検出された上記メモリモジュールの消耗状態を通知する通知手段とを具備したことを特徴とする半導体ディスク装置。

IPC (3件)：

G11C 16/06 ,  G06F 3/06 304 ,  G06F 12/16 310

FI (2件)：

G11C 17/00 309 A ,  G11C 17/00 309 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-283496
  
• 特開平2-023598
  
• 特開平2-027596
  
• 特開昭57-143796