特許
J-GLOBAL ID：200903077021129192
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2002003764
公開番号（公開出願番号）：WO2003-088362
出願日： 2002年04月16日
公開日（公表日）： 2003年10月23日
要約：
ヘテロ接合バイポーラトランジスタのベース引出電極5Bに開口された第1開口部8aの側面に側壁絶縁膜9が設けられ、その側壁絶縁膜9の一部が、ベース引出電極5Bにおいて半導体基板1に対向する面から半導体基板1の主面に向かって突き出すように延在しており、その突き出し長さが、半導体基板1の主面とベース引出電極5Bの下面との間に介在された絶縁膜4の厚さの半分か、または絶縁膜4の厚さの半分よりも小さくなるようにした。
請求項（抜粋）：
半導体装置において、
(a)半導体基板に形成された第1導電型を有する第1半導体領域、
(b)前記半導体基板上に堆積された第1絶縁膜、
(c)前記第1絶縁膜に開口された開口部、
(d)前記第1導電型とは反対の導電型の第2導電型を有し、前記第1絶縁膜上に設けられ、一部が前記開口部の端部から開口部の中心に向かって突き出すように延在された第1半導体膜、
(e)前記第1半導体膜の突き出し部の一面の前記半導体基板に対向する面に接触した状態で、前記半導体基板の主面に向かって形成された第2導電型を有する第2半導体膜、
(f)前記半導体基板の主面および前記第2半導体膜に接触するように形成された第2導電型を有する第3半導体膜、
(g)前記第1半導体膜上と、前記開口部上に位置する前記第1半導体膜の側面とに形成された第2絶縁膜を有し、
(h)前記第1半導体膜の側面に形成された第2絶縁膜のうち、前記第1半導体膜の底面から前記半導体基板の主面に向かって突き出るように延びた部分の長さは、前記第1絶縁膜の前記半導体基板に交差する方向の膜厚の半分と等しいか、またはそれよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L21/331
, H01L29/732
, H01L29/737
H01L29/72 S
, H01L29/72 H
