特許

J-GLOBAL ID：200903077021500320

光電変換装置及びその製造方法

発明者： 高木 賀子
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-118746
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318379
出願日： 2002年04月22日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】 フォトダイオード間を分離する素子分離構造の形成がフォトダイオードの感度の低下につながらず、大信号時にも飽和を起こしにくい構造をもつ光電変換装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 フォトダイオード間を素子分離する素子分離構造、例えばSTI構造7bを基板の熱酸化によらない方法で形成し、素子分離構造7bに接してこれを取り囲む第1導電型の半導体基板1中に第2導電型のチャネルストッパ層6を形成する。さらに、フォトダイオードの信号電荷蓄積領域として第1導電型の半導体層18を形成し、この周囲を第2導電型のウェル8、10、11で取り囲み、基板1の他の領域から分離する。

請求項（抜粋）：

フォトダイオードが各受光領域にそれぞれ形成されている光電変換装置であって、第1導電型の半導体基体と、前記半導体基体上に形成され、前記フォトダイオード間を素子分離するために形成された凹部内に絶縁膜が埋め込まれてなる素子分離構造と、前記素子分離構造に接してこれを取り囲むように前記半導体基体中に形成された第2導電型のチャネルストッパ層と、前記受光領域の表面側に形成された、前記フォトダイオードを構成する第1導電型の半導体層と、前記受光領域側の前記素子分離構造の端部に対し、前記受光領域の外方位置にて前記受光領域を取り囲むように形成された第2導電型の第1のウェルと、前記受光領域の底部に形成された第2導電型の第2のウェルとを有する光電変換装置。

IPC (4件)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/76 ,  H01L 31/10

FI (5件)：

H01L 27/14 A ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/76 S ,  H01L 21/265 V ,  H01L 31/10 A

Fターム (35件)：

4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118FA26 ,  4M118FA27 ,  4M118FB22 ,  5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA77 ,  5F032AB03 ,  5F032AC01 ,  5F032BB01 ,  5F032CA03 ,  5F032CA21 ,  5F032CA23 ,  5F032DA02 ,  5F032DA23 ,  5F032DA33 ,  5F032DA43 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA01 ,  5F049NB05 ,  5F049PA10 ,  5F049PA14 ,  5F049QA03 ,  5F049QA14 ,  5F049QA15 ,  5F049RA03 ,  5F049RA04 ,  5F049SS03