特許

J-GLOBAL ID：200903077022959946

単結晶引き上げ方法及び単結晶引き上げ装置

発明者： 渡邉 英樹 ,  森田 洋
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-132846
公開番号（公開出願番号）：特開2000-327477
出願日： 1999年05月13日
公開日（公表日）： 2000年11月28日
要約：

【要約】【課題】 大重量の単結晶であっても安全に引き上げることができる単結晶吊り下げ部を有し、一般的な通常の種結晶を使用することで種結晶に関して新たなコストを発生させることがなく、単結晶吊り下げ部を高速に無転位化して所要プロセス時間を短縮できると同時に、若干の転位を含む種結晶からでも無転位化可能で、若干の転位が導入された種結晶を交換することなく再使用することができる単結晶引き上げ方法、及び単結晶引き上げ装置を提供すること。【解決手段】 坩堝21内の溶融液23に種結晶35を浸漬した後、種結晶35を引き上げることにより単結晶36を成長させる単結晶の引き上げ方法において、種結晶35を溶融液23に接触させた後、補助加熱手段15を用いて種結晶35と溶融液23との界面近傍を加熱しながら、さらに種結晶35を溶融液23に漬け込み、補助加熱手段15による加熱を停止した後、ネックを形成せずに単結晶を引き上げる。

請求項（抜粋）：

坩堝内の溶融液に種結晶を浸漬した後、該種結晶を引き上げることにより単結晶を成長させる単結晶の引き上げ方法において、前記種結晶を前記溶融液に接触させた後、補助加熱手段を用いて前記種結晶と前記溶融液との界面近傍を加熱しながら、さらに前記種結晶を前記溶融液に漬け込み、前記補助加熱手段による加熱を停止した後、ネックを形成せずに単結晶を引き上げることを特徴とする単結晶引き上げ方法。

IPC (3件)：

C30B 15/00 ,  C30B 15/26 ,  C30B 15/30

FI (3件)：

C30B 15/00 Z ,  C30B 15/26 ,  C30B 15/30

Fターム (12件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077ED01 ,  4G077EG12 ,  4G077EG15 ,  4G077EH04 ,  4G077PA01 ,  4G077PF04 ,  4G077PF13 ,  4G077PF15 ,  4G077PG01