特許
J-GLOBAL ID：200903077030362886
半導体圧力センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-211011
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031818
出願日： 2001年07月11日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】 SOI(シリコン-オン-インシュレータ)基板に対して、圧力検出用のダイヤフラムを形成し、このSOI基板をガラスよりなる台座に陽極接合してなる半導体圧力センサの製造方法において、陽極接合用の電極部を容易に形成できるようにする。【解決手段】 第1のシリコン基板11にゲージ拡散抵抗3、回路素子4を形成し、第2のシリコン基板12に凹部を形成してダイヤフラム1を形成し、SOI基板10における素子及びダイヤフラム形成領域の外周部に、研削することにより第2のシリコン基板12が露出した露出部15を形成する。この露出部15を介して、第2のシリコン基板12と台座20との間に電圧を印加し、両者を陽極接合する。
請求項（抜粋）：
第1の半導体層(11)と第2の半導体層(12)とが絶縁膜(13)を介して積層されてなる積層基板(10)を用意し、この積層基板における前記第1の半導体層に圧力検出用の素子(3、4)を形成する工程と、前記積層基板における前記素子の形成領域よりも外周側の部位にて、前記第1の半導体層および前記絶縁膜が除去されて前記第2の半導体層が露出した露出部(15)を形成する工程と、前記積層基板における前記露出部の内周側にて、前記第2の半導体層側から凹んだ凹部を形成し、この凹部に対応する前記第1の半導体層側に、圧力の印加に応じて歪み可能なダイヤフラム(1)を形成する工程と、少なくとも一面側がガラスよりなる台座(20)の前記一面を前記積層基板における前記第2の半導体層に接触させつつ、前記露出部を介して前記第2の半導体層と前記台座との間に電圧を印加することにより、前記第2の半導体層と前記台座とを陽極接合する工程と、を備えることを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
H01L 29/84 B
, G01L 9/04 101
2F055AA40
, 2F055BB20
, 2F055CC02
, 2F055DD04
, 2F055EE14
, 2F055FF43
, 2F055GG01
, 2F055GG14
, 4M112AA01
, 4M112BA01
, 4M112CA01
, 4M112CA03
, 4M112CA04
, 4M112CA05
, 4M112CA08
, 4M112CA12
, 4M112CA15
, 4M112DA04
, 4M112DA05
, 4M112DA16
, 4M112EA04
, 4M112EA06
, 4M112EA07
, 4M112EA11
, 4M112EA13
, 4M112FA20
