特許
J-GLOBAL ID：200903077031799358
エピタキシャルウエハおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-044729
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260415
出願日： 1993年03月05日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：
【要約】【目的】 半導体デバイス用のエピタキシャルウエハおよびその製造方法に関し、ウエハからエピタキシャル層への不純物の固相中拡散、および気相を介したオートドーピングの課題を解決し、ウエハとエピタキシャル層の界面における不純物プロファイルが急峻になるエピタキシャル成長装置を提供することを目的とする。【構成】 清浄化によってウエハ表面に生じた非平面形状を温度T1の第1のエピタキシャル成長工程で略平坦面とし、その後の第2のエピタキシャル成長工程では、エピタキシャル温度T2をT2<T1に設定する。これにより、ウエハとエピタキシャル層の界面における不純物プロファイルが急峻になる。
請求項（抜粋）：
ウエハを清浄化する工程と、前記清浄化工程で清浄化されたウエハ上にエピタキシャル成長をする工程とを有するエピタキシャルウエハ製造方法であって、前記エピタキシャル成長をする工程はシーケンシャルな少なくとも第1の工程および第2の工程とを有し、前記第1の工程におけるウエハ温度T1と前記第2の工程におけるウエハ温度T2とをT1>T2の関係になるように設定し、前記第1の工程においては、前記第1の不純物を第1の密度でエピタキシャル成長させ、前記第2の工程においては、第2の不純物を第2の密度でエピタキシャル成長させるエピタキシャルウエハ製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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