半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-070467
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349695
出願日： 1994年04月08日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の高集積化を可能とする、反射防止膜が用いられる半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】反射防止膜となるプラズマシリコン窒化膜26,27を形成する工程と、このプラズマシリコン窒化膜26,27の上にレジスト膜を形成する工程と、このレジスト膜をマスクとして、プラズマシリコン窒化膜26,27と導電層10,11とを同時にパターニングを行なう工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上方に導電層を形成する工程と、この導電層の上にプラズマ気相成長法により反射防止膜となる、化学量論的な窒化シリコン(Si3 N4 )よりもシリコンを多く含むプラズマシリコン窒化膜を形成する工程と、このプラズマシリコン窒化膜の上にフォトリソグラフィ法により所定形状のパターンを含むレジスト膜を形成する工程と、このレジスト膜をマスクとして前記プラズマシリコン窒化膜と前記導電層とを同時にパターニングを行なう工程と、を備えた半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/11 503 , H01L 21/318

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭62-046529
特開昭61-112344
反射防止膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-014138 出願人：富士通株式会社

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審査官引用 (2件)

特開昭62-046529
特開昭61-112344

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