特許
J-GLOBAL ID：200903077032518891
電源装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-022545
公開番号（公開出願番号）：特開2000-224856
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】 動作の安定した信頼性の高い電源装置を提供する。【解決手段】 交流電源ACがダイオードブリッジ回路Di を介して平滑用のコンデンサCi に接続される。また絶縁コンバータトランスPITを構成するEE形フェライト磁芯の中足磁脚を2組の外足磁脚より短くし、ギャップを形成して1次巻線と2次巻線間を疎結合とされる。さらに絶縁コンバータトランスPITの1次巻線が2分割され、それぞれの1次巻線T11、T12にスイッチングトランジスタQ11、Q12及びダンパーダイオードD11、D12と出力電圧安定化手段を含む共振回路が接続され、これらのスイッチングトランジスタQ11、Q12がプッシュプル駆動されて電力変換が行われる。そしてこれらのスイッチングトランジスタQ11、Q12及びダンパーダイオードD11、D12が、特性の揃えられた複合半導体によって構成される。
請求項（抜粋）：
EE形フェライト磁芯の中足磁脚を2組の外足磁脚より短くしてギャップを形成すると共に、1次巻線と2次巻線を分割ボビンにそれぞれ巻回して前記中足磁脚に設けることにより前記1次巻線と2次巻線間を疎結合としたコンバータトランスを有し、前記1次巻線を自励発振形スイッチング制御方式、または他励発振形スイッチング制御方式で制御されるプッシュプル方式の2石のバイポーラトランジスタで駆動すると共に、少なくとも前記2石のバイポーラトランジスタとそのそれぞれのベース・エミッタ間に設けられるダイオードとを、それぞれの特性が同等の素子を組み合わせて一体にモールドした複合半導体で構成することを特徴とする電源装置。
FI (2件)：
H02M 3/28 W
, H02M 3/28 M
5H730AA15
, 5H730BB25
, 5H730BB43
, 5H730BB52
, 5H730BB72
, 5H730BB94
, 5H730CC13
, 5H730DD02
, 5H730DD22
, 5H730EE03
, 5H730EE06
, 5H730EE07
, 5H730EE73
, 5H730FD01
, 5H730FD41
, 5H730FG07
, 5H730ZZ16
