特許

J-GLOBAL ID：200903077035865096

結晶の転位密度測定方法

発明者： 川野 連也
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-354494
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175306
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 X線トポグラフを用いて、結晶の転位密度を非破壊で簡単に広範囲にわたって測定する。【構成】 結晶の透過X線トポグラフによる結晶の転位密度測定方法において、トポグラフ像のある領域について転位線の長さの総和Lを測定する。このLを求めた回折領域の体積をVとするとき、その結晶の転位密度DDを、DD=2L/πVにより求める。また、薄膜結晶の反射X線トポグラフによる結晶の転位密度測定方法において、ある方向の転位線の単位長さあたりの本数をN1、N2、N3・・・、およびX線の侵入深さまたは膜厚の小さい方の値をtとするとき、その薄膜結晶の転位密度DDを、DD=2(N1+N2+N3+・・・)/πtにより求める。

請求項（抜粋）：

結晶の透過X線トポグラフによる結晶の転位密度測定方法であって、その転位線の長さの総和をL、Lを求めた回折領域の体積をVとするとき、その結晶の転位密度DDを、DD=2L/πVにより求めることを特徴とする結晶の転位密度測定方法。