特許
J-GLOBAL ID：200903077039871643
非晶質材料
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-233981
公開番号（公開出願番号）：特開平10-081504
出願日： 1996年09月04日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】 非晶質III -V族化合物半導体の欠点を改善し、優れた光導電特性、高速応答性であり、経時変化が少なく耐環境特性及び耐高温性を有し、光学的に活性であり、且つ、安価な非晶質材料を提供する。【解決手段】 少なくとも水素と周期律表におけるIII 族元素、好ましくはガリウムと、チッ素とを含む非晶質材料であって、非晶質材料の赤外吸収スペクトルにおて、チッ素と水素との結合を示す吸収ピーク(N-H)と炭素と水素との結合を示す吸収ピーク(C-H)における吸光度の比IN-H /IC-H が2以上であり、且つ、赤外吸収スペクトルのチッ素と水素との結合を示す吸収ピーク(N-H)とIII 族元素と水素との結合を示す吸収ピーク(III -H)とにおける吸光度の比IN-H /IIII-H が0.2以上であることを特徴とする。III 族元素の原料としてIII 族元素を含有する有機金属化合物を用い、チッ素の原料としてチッ素ガスを用いることが好ましい。
請求項（抜粋）：
少なくとも水素と周期律表におけるIII 族元素とチッ素とを含む非晶質材料であって、該非晶質材料の赤外吸収スペクトルを測定した場合、チッ素と水素との結合を示す吸収ピーク(N-H)と炭素と水素との結合を示す吸収ピーク(C-H)における吸収ピークの吸光度の比IN-H /IC-H が2以上であり、且つ、赤外吸収スペクトルのチッ素と水素との結合を示す吸収ピーク(N-H)とIII 族元素と水素との結合を示す吸収ピーク(III -H)とにおける吸光度の比IN-H /IIII-H が0.2以上であることを特徴とする非晶質材料。
IPC (4件)：
C01B 21/06
, C01G 15/00
, H01L 21/205
, H01L 31/04
C01B 21/06 A
, C01G 15/00 Z
, H01L 21/205
, H01L 31/04 B
