特許

J-GLOBAL ID：200903077044386370

面発光型半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 森 克己 ,  近藤 貴幸 ,  佐藤 淳史
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-044557
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181364
出願日： 1993年02月09日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：

【要約】【構成】 面発光半導体レーザは共振器の一部がII-VI族化合物半導体エピタキシャル層で埋め込まれ、光出射側反射ミラーが、III-V族化合物半導体からなる第1の層と、該第1の層と屈折率の異なるIII-V族化合物半導体からなる第2の層とを交互に積層し、該第2の層上に光出射口を設けたリング状金属電極を形成し、かつ該光出射口上に誘電体からなる第3の層と、該第3の層と屈折率の異なる誘電体からなる第4の層とを交互に積層して構成される複合型多層膜ミラーから構成されている。【効果】 電極下の共振器の反射率を増加させることが可能となり、これにより共振器内の光の多重反射の効率が落ちないので、高効率な面発光型半導体レーザを提供することができる。

請求項（抜粋）：

基板に垂直な方向に光を出射する面発光型半導体レーザにおいて、一対の反射ミラーとそれらの間の複数層の半導体層とを有し、前記半導体層のうちの少なくとも1層が1本または複数本の柱状に形成されている光共振器と、柱状の前記半導体層の周囲に埋め込まれたII-VI族化合物半導体エピタキシャル層と、を含み、前記反射ミラーのうちの光出射側反射ミラーは、III-V族化合物半導体からなる第1の層と、該第1の層と屈折率の異なるIII-V族化合物半導体からなる第2の層とを交互に積層し、該第2の層上に光出射口を設けた金属電極を形成し、かつ該光出射口上に誘電体からなる第3の層と、該第3の層と屈折率の異なる誘電体からなる第4の層とを交互に積層して構成される複合型多層膜反射ミラーであることを特徴とする面発光型半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-130690
  
• 特開平1-000001
  
• 特開平4-263482