特許
J-GLOBAL ID：200903077051223762
薄膜回路基板およびその製造方法、ビア形成基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-262359
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078080
出願日： 2001年08月30日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：
【要約】【課題】 微細なビアプラグを微細なピッチで形成した、信頼性の高い薄膜回路基板あるいはビア形成基板を提供する。【解決手段】 Si基板上に、エッチングストッパとして作用する絶縁膜を形成する。次に、前記Si基板中にビアホールを、半導体プロセスを使って前記エッチングストッパ膜が露出するまで形成する。さらに前記絶縁膜上に薄膜回路を形成した後、前記ビアホールにおいて前記絶縁膜を除去して薄膜回路を露出させる。必要に応じて薄膜回路を熱処理した後、ビアホールを導体で充填し、さらにバンプ電極を形成する。
請求項（抜粋）：
第1の主面と、前記第1の主面に対向する第2の主面とを有する半導体基板と、前記半導体基板上に、前記第1の主面に対応して形成された第1の絶縁膜と、前記半導体基板中を、前記第2の主面から前記第1の主面まで連続して延在するスルーホールと、前記スルーホールの側壁面を覆う第2の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された薄膜回路とよりなり、前記スルーホールは、前記第2の主面から延在する主部と、前記第1の主面近傍に形成されたテーパ部とよりなることを特徴とする薄膜回路基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/32 D
, H01L 23/12 B
