特許
J-GLOBAL ID：200903077051893016
半導体チップモジュール及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-285026
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135404
出願日： 1996年10月28日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】高価な加工装置を使用する必要も微妙な制御を実行する必要もないままに製造することが可能であり、しかも、微細な寸法関係を有する半導体チップモジュールと、この半導体チップモジュールの製造方法とを提供する。【解決手段】半導体チップモジュール1は、一対の半導体チップ2.3を備えており、各半導体チップ2,3の能動面上の相対位置ごとに形成された電極4,5同士が相互に接続されてなるものであって、半導体チップ2,3それぞれの能動面同士が、少なくとも一方側の半導体チップ2の能動面上を被覆しており、かつ、電極4を露出させる開口部が形成された保護膜6を介して接合されていると共に、各半導体チップ2,3の電極4,5同士が、保護膜6の膜厚と同等または膜厚よりも低い高さとして保護膜6の開口部内の電極4上に形成されていたうえで溶融によって変形した突起電極7を介して接続されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
一対の半導体チップを備えており、各半導体チップの能動面上の相対位置ごとに形成された電極同士が接続されてなる半導体チップモジュールであって、半導体チップそれぞれの能動面同士は、少なくとも一方側の半導体チップの能動面上を被覆しており、かつ、電極を露出させる開口部が形成された保護膜を介して接合されているとともに、各半導体チップの電極同士は、保護膜の膜厚と同等または膜厚よりも低い高さとして保護膜の開口部内の電極上に形成されていたうえ、溶融によって変形した突起電極を介して接続されていることを特徴とする半導体チップモジュール。
IPC (2件)：
引用特許：
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