特許

J-GLOBAL ID：200903077054135031

半導体製造装置

発明者： 柄沢 章孝
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-238432
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082630
出願日： 1991年09月18日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】本発明は異なる大きさを有するウェーハに対して加工処理を行う半導体製造装置に関し、同一装置で異なる種類のウエーハの処理を行うことを目的とする。【構成】加工されるウェーハ6を、装置内の所定位置に位置決めして装着するクランプ機構16を設けてなる半導体製造装置において、上記クランプ機構16を、ウェーハ6の種類に対応した大きさを有する複数個のクランプリング4,9〜11と、このクランプリング4,9〜11を加工しようとするウェーハ6の大きさに対応したクランプリングに取り替える取り替え機構15と、上記加工されるウェーハ6をクランプリング4,9〜11に装着するウェーハ装着機構7とにより構成する。

請求項（抜粋）：

加工されるウェーハ(6)を、装置内の所定位置に位置決めして装着するクランプ機構(16)を設けてなる半導体製造装置において、該クランプ機構(16)を、該ウェーハ(6)の種類に対応した大きさを有する複数個のクランプリング(4,9〜11)と、該クランプリング(4,9〜11)を保管しており、加工しようとするウェーハ(6)の大きさに対応したクランプリングに取り替え処理を行う取り替え機構(15)と、上記加工されるウェーハ(6)を該クランプリング(4,9〜11)に装着するウェーハ装着機構(7)とにより構成したことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/68 ,  C23C 14/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31