特許

J-GLOBAL ID：200903077057540697

二次電池保護回路

発明者： 加藤 浩之
出願人/特許権者： 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116191
公開番号（公開出願番号）：特開2000-312439
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】 簡単な構成で、しかも安定的に高い精度で動作する二次電池保護回路を提供する。【解決手段】 複数個の二次電池を直列接続して、上記複数個の二次電池に対応した高い電池電圧を形成する二次電池の保護回路であって、電流電圧変換回路において複数個のMOSFETを直列接続してそれぞれのゲート絶縁膜に印加される電圧を相互に分担し、かつ、上記電池電圧に対応した電流信号を形成し、電圧緩和回路において上記直列接続された複数のMOSFETの相互接続点における電圧がゲートに印加された複数のMOSFETを用い、それぞれのゲート絶縁膜に印加される電圧を相互に分担しつつ、上記電圧電流変換回路で形成された電流を伝え、電流電圧変換回路において上記電流信号をMOSFETのゲート耐圧電圧以下の低電圧の電圧信号に変換し、上記電流電圧変換回路を通した電圧を測定して上記二次電池の過電圧状態又は過放状態のいずれか少なくとも1つを検出する。

請求項（抜粋）：

複数個の二次電池を直列接続して、上記複数個の二次電池に対応した高い電池電圧を形成する二次電池に設けられる二次電池保護回路であって、複数個のMOSFETが直列接続されることによって、それぞれのゲート絶縁膜に印加される電圧を相互に分担し、かつ、上記電池電圧に対応した電流信号を形成する電圧電流変換回路と、上記直列接続された複数のMOSFETの相互接続点における電圧がゲートに印加される複数のMOSFETを用い、それぞれのゲート絶縁膜に印加される電圧を相互に分担しつつ、上記電圧電流変換回路で形成された電流を伝える電圧緩和回路と、上記電圧緩和回路を通した電流を受け、MOSFETのゲート耐圧電圧以下の低電圧の電圧信号に変換する電流電圧変換回路と、上記電流電圧変換回路を通した電圧を測定して上記二次電池の過電圧状態又は過放状態のいずれか少なくとも1つを検出する電圧測定回路を備えてなることを特徴とする二次電池保護回路。

IPC (4件)：

H02J 7/00 ,  H01M 10/44 ,  H02J 7/02 ,  H02J 7/10

FI (4件)：

H02J 7/00 S ,  H01M 10/44 P ,  H02J 7/02 H ,  H02J 7/10 B

Fターム (12件)：

5G003AA01 ,  5G003BA03 ,  5G003CA11 ,  5G003CC02 ,  5G003DA04 ,  5G003DA13 ,  5G003GA01 ,  5H030AA06 ,  5H030AA10 ,  5H030AS06 ,  5H030FF43 ,  5H030FF44