差動増幅器、基準電圧発生回路、昇圧回路及び半導体記憶装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-023170
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303658
出願日： 1998年02月04日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】入力電圧の変動が数mV程度である場合、差動増幅器の感度が低いため、出力電圧を精度良く制御することが困難であり、消費電力が大きくなる。【解決手段】ゲートに入力電圧VIN1が供給されるnチャネルのMOSトランジスタ2と、ゲートに入力電圧VIN2が供給されるnチャネルのMOSトランジスタ4と、ソースに電源電圧Vccが供給され、ゲートとドレインがMOSトランジスタ2のドレインに接続されたpチャネルのMOSトランジスタ1と、ソースに電源電圧Vccが供給され、ゲートがMOSトランジスタ2のドレインに接続され、ドレインがMOSトランジスタ4のドレインに接続され、このドレインの電圧が出力電圧VOUTとなるpチャネルのMOSトランジスタ3とからなる差動増幅器に対し、定電流源5を設け、定電流源5の出力電流Iを差動増幅器を構成するトランジスタ1ないし4が弱反転領域で動作するように設定する。

請求項（抜粋）：

各ゲートに入力信号がそれぞれ供給され、差動対を構成する第1チャネルの第1、第2のMOSトランジスタと、それぞれドレインが前記差動対を構成する第1チャネルの第1、第2のMOSトランジスタのドレインに接続され、前記差動対に対する負荷トランジスタ対を構成する第2チャネルの第3、第4のMOSトランジスタとを具備し、前記第1のMOSトランジスタと第3のMOSトランジスタの接続ノード及び前記第2のMOSトランジスタと第4のMOSトランジスタの接続ノードのいずれか一方を通じて出力信号が出力される差動増幅器であって、前記第1、第2、第3、第4のMOSトランジスタを弱反転領域で動作させることを特徴とする差動増幅器。

IPC (7件)：

H03F 3/45 , G05F 3/24 , G05F 3/30 , G11C 11/419 , G11C 11/413 , H01L 21/8234 , H01L 27/088

FI (6件)：

H03F 3/45 A , G05F 3/24 Z , G05F 3/30 , G11C 11/34 311 , G11C 11/34 335 A , H01L 27/08 102 J

引用特許：

審査官引用 (8件)

定電圧回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-220235 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-063636 出願人：シャープ株式会社
特開昭51-093850

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