特許

J-GLOBAL ID：200903077062398246

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法、それらを用いて作製した薄膜、基板および半導体装置

発明者： 和田 健司 ,  森田 春雪
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-120954
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313744
出願日： 2001年04月19日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 高周波電極を複数の小電極に分割するだけでは、各々の小電極に印加された高周波の畳重により、各小電極面上の間隙に近いところで過大あるいは過小な電界が生じ、均一なプラズマを生成させるには不充分である。【解決手段】 プラズマ処理装置において、高周波電極を構成する複数の小電極22,24に対して、各小電極に対応するように位相調整器102,104を配設し、各小電極に印加する高周波電圧の位相のずれが120〜240度の範囲となるように調整することで、膜厚分布やエッチング速度の分布が改善される。

請求項（抜粋）：

複数の小電極に分割されてなる電極と、被処理部材配設部と、該複数の小電極に分割されてなる電極に、高周波電力を印加することでプラズマを発生させて、被処理部材に対し処理を行なうための高周波電源と、該複数の小電極において、互いに隣接する小電極に印加される高周波電圧の位相を120〜240度の範囲でずらせるための位相調整手段とを備えたプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C

Fターム (41件)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BA05 ,  4G075BC01 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075EC21 ,  4G075EC30 ,  4G075FC13 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030CA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA01 ,  4K030JA18 ,  4K030JA19 ,  4K030KA15 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  4K030LA18 ,  5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AD06 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045CA13 ,  5F045DP02 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH13 ,  5F045EH20