特許

J-GLOBAL ID：200903077064468330

半導体装置とその製造方法

発明者： 平谷 雄二
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-099392
公開番号（公開出願番号）：特開平10-290051
出願日： 1997年04月16日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体から成り、表面モルホロジーが優れている半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 この半導体装置は、基板1と窒化物系III-V族化合物半導体から成る少なくとも1層のエピタキシャル成長層3との間に、厚みが5〜100nmで、かつ炭素濃度が1018〜1020cm-3の窒化物系III-V族化合物半導体の緩衝層2が形成されており、この緩衝層は、まず最初に、前記基板の表面にIII族元素の単体を供給し、ついで、前記III族元素の単体と一緒にジメチルヒドラジンやモノメチルヒドラジンのような炭素および窒素を構成元素とする化合物を供給することによって形成される。

請求項（抜粋）：

基板と、窒化物系III-V族化合物半導体から成る少なくとも1層のエピタキシャル成長層との間に、厚みが5〜100nmで、かつ炭素濃度が1018〜1020cm-3の窒化物系III-V族化合物半導体の緩衝層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C