特許

J-GLOBAL ID：200903077065120265

半導体間接着方法、この方法を使用して製造した半導体および半導体装置

発明者： 曽我 哲夫 ,  梅野 正義 ,  田口 裕規
出願人/特許権者： 名古屋工業大学長 ,  株式会社三陽電機製作所
代理人 (1件)： 草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084533
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277779
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 電気伝導性および透光性を有する接着材料により半導体の間を強固に結晶品質を損なうことなしに接着する半導体間接着方法、この方法を使用して製造した半導体および半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体シリコンとIII-V族化合物或は混晶半導体との間、或はIII-V族化合物或は混晶半導体相互間、III-V族化合物と混晶半導体との間に、VI族化合物を接着材料として介在させて加熱する半導体間接着方法、この方法を使用して製造した半導体および半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体シリコンとIII-V族化合物或は混晶半導体との間、或はIII-V族化合物或は混晶半導体相互間、或はIII-V族化合物と混晶半導体との間にVI族化合物を接着材料として介在させて加熱することを特徴とする半導体間接着方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/02

FI (3件)：

H01L 31/04 H ,  H01L 21/02 B ,  H01L 31/04 E

Fターム (8件)：

5F051AA02 ,  5F051AA08 ,  5F051DA15 ,  5F051DA16 ,  5F051DA18 ,  5F051DA20 ,  5F051GA04 ,  5F051GA20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体基板、半導体装置及びそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-287867   出願人：株式会社日立製作所, 光技術研究開発株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "High-quality GaAs on Si substrate by the epitaxial lift-off technique using SeS2"