特許

J-GLOBAL ID：200903077066440085

気相成長方法および気相成長装置

発明者： 山縣 秀夫 ,  河本 健芳 ,  高橋 誠一 ,  三橋 哲雄 ,  浅利 伸
出願人/特許権者： ソニー株式会社 ,  日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-356517
公開番号（公開出願番号）：特開2000-182966
出願日： 1998年12月15日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 水分や酸素の分圧の制御の効率、気相成長の結晶性の問題の解決をはかる。【解決手段】 加熱手段15を有し第1および第2の高真空排気手段31および32が連結された反応チャンバー13と、気相成長を行う基板1を反応チャンバー13に真空状態にて搬送可能とした少なくとも第1および第2のロードロック室11および12とを有して成り、第1のロードロック室11には、第3の高真空排気手段33が連結された構成とし、高真空排気手段の併用により、反応チャンバー13、ロードロック室11の排気を効率良く行うことがで、水分や酸素分圧を必要十分に短時間で低めることができるようにする。

請求項（抜粋）：

低温で気相成長を行う反応チャンバー内部を、ガスの供給を行わない状態で、2以上の高真空排気手段を併用して排気して前記反応チャンバー内部の水分や酸素の分圧を制御することを特徴とする気相成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/285 C

Fターム (32件)：

4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030BA09 ,  4K030BA29 ,  4K030BB01 ,  4K030CA04 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA12 ,  4K030JA09 ,  4K030KA23 ,  4K030KA28 ,  4M104BB01 ,  4M104DD44 ,  5F045AA07 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045BB12 ,  5F045EB08 ,  5F045EG03 ,  5F045EG05 ,  5F103AA04 ,  5F103BB47 ,  5F103BB49 ,  5F103DD16 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103NN05 ,  5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-295413
  
• 特開平4-263453
  
• 特開昭62-047116