特許

J-GLOBAL ID：200903077067217231

光半導体集積回路装置及び光記憶再生装置

発明者： 木村 茂治 ,  麻殖生 健二 ,  土居 武司 ,  玉置 洋一 ,  島野 健
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-373113
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176190
出願日： 2000年12月07日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】 SOI基板上に他の半導体集積回路装置と同一基板上に作製されたホトダイオードの感度の向上と周波数帯域の拡大を行い、光情報処理装置の読み出しの高速化を図る。【解決手段】 周波数帯域を拡大するために、ホトダイオードの埋め込み層502を深く埋め込むこと、あるいは埋め込み層の不純物濃度を減少させる。また、感度の向上のために、SOI基板の酸化膜401の膜厚を反射光が最大になるように選択する。

請求項（抜粋）：

SOI基板と、前記SOI基板に形成されたアンプ部と、前記SOI基板に形成されたホトダイオード部とを有する光半導体集積回路装置において、前記アンプ部とホトダイオード部とは各々不純物を含有して上部電極と接続された埋め込み層を有し、前記ホトダイオード部は第1の導電型と第2の導電型との接合部が前記SOI基板上のエピタキシャル層の内部にあり、前記ホトダイオード部の前記埋め込み層の不純物濃度は前記アンプ部の埋め込み層の不純物濃度よりも低いことを特徴とする光半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 Z

Fターム (17件)：

4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118BA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CB13 ,  4M118FC09 ,  4M118FC16 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049NB08 ,  5F049RA06 ,  5F049SS03 ,  5F049WA01 ,  5F049WA03