特許
J-GLOBAL ID：200903077071562172
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-275134
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125633
出願日： 1996年10月17日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 堆積した酸化膜のパターン精度を良好にして、精度よくSiC半導体装置を製造できるようにする。【解決手段】 MOSFETを形成する前のSiC基板100に対し、図に示すようにSiC基板100の上下両面端部を約30度の角度で幅500μm以上の研磨を行う。この研磨により、MOSFETの形成工程において、SiC基板100の端部で酸化膜の異常堆積が生じても酸化膜の異常な盛り上がりをなくすことができ、酸化膜のパターンニング精度を良好にすることができる。
請求項（抜粋）：
炭化珪素基板に半導体素子を形成してなる炭化珪素半導体装置の製造方法であって、前記半導体素子を形成する工程は、前記炭化珪素基板上に酸化膜を堆積し、この酸化膜をフォトリソグラフィ技術によりパターニングする工程を含むものであり、前記半導体素子を形成する前の状態の前記炭化珪素基板の端部を研磨する工程を設けたことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/304 301
, H01L 21/304 321
, C30B 29/36
, H01L 21/205
, H01L 21/316
H01L 21/304 301 B
, H01L 21/304 321 S
, C30B 29/36 A
, H01L 21/205
, H01L 21/316 X
