特許

J-GLOBAL ID：200903077076576651

窒化ガリウム系化合物半導体素子

発明者： 渡部 信一 ,  只友 一行
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-349727
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172199
出願日： 1995年12月20日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 生産性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体素子を提供する。【解決手段】 ガラス基板または多結晶基板であって融点1200°C以上の高融点材料からなる基板1上にバッファ層2を介して窒化ガリウム系化合物半導体層3が積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体素子。

請求項（抜粋）：

ガラス基板または多結晶基板であって融点1200°C以上の高融点材料からなる基板上にバッファ層を介して窒化ガリウム系化合物半導体層が積層されてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。