特許

J-GLOBAL ID：200903077078395425

気相成長装置

発明者： 生方 映徳 ,  徳永 裕樹
出願人/特許権者： 日本酸素株式会社
代理人 (1件)： 木戸 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-217919
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063631
出願日： 2002年07月26日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】原料ガス流路となるフローライナー内壁面への中間生成物の付着を防止し、フローライナーの洗浄回数を削減することによって生産性の向上を図れる気相成長装置を提供する。【解決手段】原料ガス流路14,15の基端部10aに設けた原料ガス導入ノズル16,17から、該原料ガス流路14,15を通して基板面11aに平行な方向に原料ガスを供給し、前記基板面11aに半導体薄膜を成長させる気相成長装置において、前記原料ガス導入ノズル16,17を、前記原料ガス流路14,15の基端部中央に設けるとともに、該原料ガス導入ノズル16,17の周囲に、前記原料ガス流路14,15の内壁面に沿う方向にパージガスを吹き出すパージガス導入ノズル18,19を設ける。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

原料ガス流路の基端部に設けた原料ガス導入ノズルから、該原料ガス流路を通して基板面に平行な方向に原料ガスを供給し、前記基板面に半導体薄膜を成長させる気相成長装置において、前記原料ガス導入ノズルを、前記原料ガス流路の基端部中央に設けるとともに、該原料ガス導入ノズルの周囲に、前記原料ガス流路の内壁面に沿う方向にパージガスを吹き出すパージガス導入ノズルを設けたことを特徴とする気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/455

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/455

Fターム (19件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BA55 ,  4K030BA56 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030KA12 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AC08 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045DQ06 ,  5F045EB02 ,  5F045EF08