特許

J-GLOBAL ID：200903077083812743

炭化珪素膜被覆部材及びその製造方法

発明者： 稲葉 毅 ,  武田 修一 ,  佐藤 勝憲 ,  加藤 茂男 ,  伊藤 幸夫
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 赤野 牧子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-201302
公開番号（公開出願番号）：特開平9-025185
出願日： 1995年07月13日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【課題】 SiC質基材表面に被覆されたCVD-SiC膜の有する特性を充分発現させ、高硬度、高強度で基材からの不純物拡散を防止し、従来の炭化珪素膜被覆部材では充分でなかった耐熱性、耐食性及び研磨特性等がより優れた半導体製造における熱処理工程用各種治具類、プラズマエッチング工程のサセプタ、SOR光等の高エネルギー光反射用ミラーとして好適な炭化珪素膜被覆部材を提供する。【解決手段】 SiC質基材表面に、CVD法により厚さ20μm以上にSiC膜を被覆してなると共に、該SiC膜中の酸素濃度が30ppm(重量)以下であることを特徴とする炭化珪素膜被覆部材。前記SiC膜はSiC質基材をCDV炉内で通常のCVD処理温度以上で所定に高温度処理した後、CVD処理して形成することができる。

請求項（抜粋）：

SiC質基材表面に、CVD法により厚さ20μm以上にSiC膜を被覆してなると共に、該SiC膜中の酸素濃度が30ppm(重量)以下であることを特徴とする炭化珪素膜被覆部材。

FI (2件)：

C04B 41/87 V ,  C04B 41/87 G