特許

J-GLOBAL ID：200903077084080541

保護回路

発明者： 河野 俊至
出願人/特許権者： 日本電気エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 古溝 聡 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-284711
公開番号（公開出願番号）：特開2001-109527
出願日： 1999年10月05日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 回路損失が少なく、簡単な構成で、しかも効果的に突入電流を防止し且つ過電圧から保護する。【解決手段】 電圧供給源1から、コネクタ2および2′を介して電圧が印加されると、ゲート電圧が印加されてMOSFET3がオンとなり、ドレイン電流が流れ始める。MOSFET3のソース-ドレイン間と直列に挿入されている抵抗4により、スイッチング電源15のコンデンサ16を充電する。抵抗8、9およびコンデンサ10により、ゲート電圧が緩やかに上昇した後、MOSFET5がオンとなる。MOSFET5のオン動作により、MOSFET3のソース-ドレイン間と抵抗4の直列回路が短絡される。過電圧が発生すると、入力過電圧検出回路14がその過電圧を検出し、トランジスタ13がオンとなり、ダイオード11および12を通して、MOSFET3および5を共にオフとする。

請求項（抜粋）：

スイッチング電源内部のコンデンサに流れる突入電流を防止し且つ過電圧が発生した場合にその過電圧からその装置を保護する保護回路において、第1のMOSFET(金属酸化物電界効果トランジスタ)のソース-ドレイン間と第1の抵抗とを直列に接続してなり、電圧供給源とスイッチング電源との間に、直列に介挿されたこれら第1のMOSFETおよび第1の抵抗の直列回路と、前記第1のMOSFETおよび第1の抵抗の直列回路を、第2のMOSFETによって短絡させて突入電流を防止する回路と、前記電圧供給源からの入力過電圧を検出する回路に接続され、入力過電圧時に動作するトランジスタと、前記トランジスタから第1のダイオードを経由して前記第1のMOSFETのゲートに動作信号を供給し、前記第1のMOSFETを遮断する回路と、前記トランジスタから第2のダイオードを経由して前記第2のMOSFETのゲートに動作信号を供給し、前記第2のMOSFETを遮断する回路と、を具備することを特徴とする保護回路。

IPC (2件)：

G05F 1/10 304 ,  H02J 1/00 309

FI (2件)：

G05F 1/10 304 M ,  H02J 1/00 309 R

Fターム (28件)：

5G065AA01 ,  5G065BA00 ,  5G065BA01 ,  5G065BA04 ,  5G065DA04 ,  5G065EA02 ,  5G065GA02 ,  5G065HA01 ,  5G065HA07 ,  5G065JA02 ,  5G065KA02 ,  5G065KA05 ,  5G065LA01 ,  5G065MA10 ,  5G065NA01 ,  5G065NA02 ,  5G065NA04 ,  5G065NA05 ,  5G065NA06 ,  5H410CC02 ,  5H410DD02 ,  5H410EA11 ,  5H410EA38 ,  5H410FF03 ,  5H410FF22 ,  5H410LL02 ,  5H410LL07 ,  5H410LL18