半導体不揮発性記憶装置及びデータ処理システム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：玉村静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-247499
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092958
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】メモリウエルを負電圧にして消去動作を行っても、チップ面積の増大を抑えてディスターブを軽減できるようにする。【解決手段】電気的消去及び書込み可能な半導体不揮発性記憶装置に対する消去において、メモリマットが形成されるメモリウエルを負の電圧として、デコーダ等の周辺回路に過大な耐圧を要求しなくても済むようにするとき、消去を行わないメモリセルトランジスタのソースを0V(ドレインをオープン)にする。これにより、メモリウエル電圧が負電圧であっても、消去非選択メモリセルトランジスタにはチャネルが生成されないので、メモリウエルを分割しなくても、ディスターブを軽減することができる。

請求項（抜粋）：

ソース、ドレイン及びコントロールゲートを持ち、電気的消去及び書き込み可能な不揮発性の複数個のメモリセルトランジスタを有するメモリマットがメモリウエルに形成され、メモリセルトランジスタに対する消去動作時に、前記メモリウエルを負電圧に制御する半導体不揮発性記憶装置において、消去動作動作時に、消去選択とされるメモリセルトランジスタのコントロールゲートを消去非選択のメモリセルトランジスタのコントロールゲートに与えられる第1の電圧よりも高い第2の電圧に制御すると共に、消去非選択のメモリセルトランジスタのソース又はドレインの一方を前記第1電圧と同じ電圧に制御し、他方をフローティングに制御する制御手段を設けて成るものであることを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/06 , H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 530 A , H01L 27/10 434

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